Amplificatori in classe B, AB.  

 

 

 

Come già accennato la circuiteria usata in questa classe ha lo scopo di aumentare il rendimento di conversione e diminuire la figura di merito, ciò è ottenibile riducendo la potenza dissipata a riposo dai dispositivi di potenza. A questo risultato si giunge usando uno stadio finale in configurazione detta in controfase o push-pull a simmetria complementare. In assenza del segnale di ingresso entrambi i BJT sono interdetti, a riposo sono nulle sia la potenza dissipata dai transistor sia quella assorbita dal carico. Durante la semionda positiva conduce solo T1, che trasferisce sul carico tale semionda; durante quella negativa conduce solo T2 che trasferisce tale semionda sul carico. Con questa configurazione è possibile quindi trasferire sul carico entrambe le semionde tramite una coppia di BJT complementari che lavora in classe B. E’ importante tenere presente che i due transistor sono montati in configurazione a collettore comune, perciò lo stadio preso in esame guadagna solo in corrente. Per ottenere anche un guadagno di tensione questo stadio deve essere preceduto da un adeguato stadio pilota (driver). Il massimo rendimento di conversione possibile e la cifra di merito ottimale  in classe B risultano essere rispettivamente: 

hcMAX=78,5%               F=0,2 

nettamente superiori a quelli ottenibili negli amplificatori di potenza in classe A. Un inconveniente tipico per gli amplificatori in classe B è la distorsione di incrocio o di cross-over, vedi Fig.8b. Tale distorsione è dovuta al fatto che i due BJT non entrano in conduzione fino a quando ciascuna semionda non supera la tensione di soglia Vg  delle singole giunzioni B-E dei transistor. Per limitare gli effetti della distorsione di cross-over i BJT devono essere polarizzati con una tensione VBE poco superiore a Vg  in modo che funzionino subito in zona lineare quando è presente la semionda di propria competenza. Un simile artificio non influisce negativamente sulla dissipazione di potenza a vuoto, visto che questa risulta essere di piccola entità e di conseguenza trascurabile, come anche la conduzione dei transistor durante la semionda opposta. Questo funzionamento è tipico della classe AB.